МУЗЕЙ НАУКИ И ТЕХНОЛОГИЙ ИНСТИТУТА ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИМ. А.В. РЖАНОВА СИБИРСКОГО ОТДЕЛЕНИЯ РАН


КОНТАКТЫ

Адрес:  630090, г. Новосибирск, пр. академика Лаврентьева, 13 (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН; Музей расположен в административном корпусе ИФП СО РАН, комната 116)

Телефон: 7(383) 333-34-74

Факс: 7(383) 333-27-71

Сайт: http://www.isp.nsc.ru/newface

Администрация:

Придачин Николай Борисович – руководитель музея, ученый секретарь ИФП по выставочной и рекламной работе, кандидат физико-математических наук


ИСТОРИЯ

Музей науки и технологий ИФП СО РАН основан в 1994 году. Музей науки и технологий задуман как центр  информационного обеспечения и широкой пропаганды основных направлений деятельности Института физики полупроводников СО РАН.

Институт физики полупроводников Сибирского отделения РАН создан в 1964 году на основе объединения Института физики твердого тела и полупроводниковой электроники СО АН СССР и Института радиофизики и электроники СО АН СССР.

В Институте наибольшее развитие получили следующие направления исследований: 

  • физика полупроводниковых систем понижения размерности и квантовых систем,
  • полупроводниковая фотоэлектроника,
  • материаловедение кремния и структур на его основе.

На основе полученных фундаментальных результатов в Институте осуществлены разработки матричных фотоприемников инфракрасного диапазона, электронно-оптических преобразователей, СВЧ-транзисторов, квантовых интерферометров, нанотранзисторов. Многолетние усилия Института по разработке и созданию оборудования молекулярно-лучевой эпитаксии и обеспечению современными диагностическими системами стали основой развития нанотехнологии для полупроводниковой электроники нового поколения. 


СОСТАВ ФОНДОВ

В Музее история Института кратко представлена биографическими сведениями его трех директоров: академика А.В. Ржанова, чл.-корр. К.К. Свиташева и академика А.Л. Асеева.

В экспозиции помещены некоторые награды Института: почетные грамоты и дипломы руководства НСО, СО РАН и др. Высшим признанием заслуг Института является присуждение 2 государственных премий СССР, 4 государственных премий РФ, 1 государственной премии Совета министров СССР, 2 премий Ленинского комсомола.

Один из экспозиционных комплексов музея отражает направление исследований, связанное с материаловедением кремния и структур на его основе. Оно сформировалось в Институте в 1990-е годы и отражает ту роль, которую играет кремний в качестве важнейшего материала современной полупроводниковой электроники. В экспозиции – различного диаметра слитки кремния, полученного методом бестигельной зонной плавки.

Еще один комплекс экспозиции посвящен многообразию проводимых ИФП работ по матричным фотоприемникам, в частности по фотоприемным устройствам среднего ИК-диапазона на основе МДП-структур на арсениде индия. Разработана серия матричных тепловизорных устройств для разнообразных применений. Одним из них является  диагностический тепловизор, применяемый в практике лечебных учреждений. Тепловизорное обследование незаменимо для диагностики на ранних стадиях (до рентгенологических проявлений, а в некоторых случаях задолго до появления жалоб больного) опухолевых, воспалительных заболеваний, остеохондроза, варикоза и т.д.

Экспозиция музея отражает недавно полученные в Институте результаты исследований полупроводниковых фотокатодов, чувствительных в ультрафиолетовой области спектра. На основе фундаментальных и прикладных исследований, ведущихся в Институте (лаборатория д.ф.-.м.н. А.С. Терехова), на предприятиях г. Новосибирска производятся новейшие образцы техники ночного видения. 

В экспозиции находится макет установки молекулярно-лучевой эпитаксии. Создание установки в Институте современной технологии МЛЭ (А.В. Ржанов, К.К. Свиташев, С.И. Стенин и др.) явилось одним из важнейших достижений. Результаты этих работ являются основой надежд на быстрое продвижение высоких технологий в России. В кооперации с Российским авиационно-космическим агентством планируется размещение МЛЭ технологии в космическом пространстве.